規(guī)格參數(shù)值：

IPSA70R600CE：

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 700V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 10.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 210μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 474pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 86W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 600毫歐 @ 1A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 IPAK（TO-251）
封裝/外殼 TO-251-3 短截引線，IPak

IPS70R1K4CE：

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 700V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 5.4A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 225pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 超級(jí)結(jié)
功率耗散（最大值） 53W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.4 歐姆 @ 1A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO251
封裝/外殼 TO-251-3 短截引線，IPak

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